link0 link1 link2 link3 link4 link5 link6 link7 link8 link9 link10 link11 link12 link13 link14 link15 link16 link17 link18 link19 link20 link21 link22 link23 link24 link25 link26 link27 link28 link29 link30 link31 link32 link33 link34 link35 link36 link37 link38 link39 link40 link41 link42 link43 link44 link45 link46 link47 link48 link49 link50 link51 link52 link53 link54 link55 link56 link57 link58 link59 link60 link61 link62 link63 link64 link65 link66 link67 link68 link69 link70 link71 link72 link73 link74 link75 link76 link77 link78 link79 link80 link81 link82 link83 link84 link85 link86 link87 link88 link89 link90 link91 link92 link93 link94 link95 link96 link97 link98 link99 link100 link101 link102 link103 link104 link105 link106 link107 link108 link109 link110 link111 link112 link113 link114 link115 link116 link117 link118 link119 link120 link121 link122 link123 link124 link125 link126 link127 link128 link129 link130 link131 link132 link133 link134 link135 link136 link137 link138 link139 link140 link141 link142 link143 link144 link145 link146 link147

Физика полупроводников. Лекция 1

Введение

Исторические этапы развития физики полупроводников.

Физика полупроводников является основой твердотельной и микроэлектроники, является базовой дисциплиной для большинства других специальностей электронно-технического профиля. Она изучает процессы явления и эффекты, протекающие в полупроводниках и определяющие принципы работы полупроводниковых приборов. Физики полупроводников будет содержать научные знания, которые необходимы для понимания других специальных курсов.

Эпоха насчитывает более 100 лет. Еще в первой половине 19 века Фарадей обнаружил, что электропроводность некоторых тел растет по экспоненциальному закону с ростом температуры. Электропроводность большинства проводников уменьшается с ростом температуры по линейному закону. Спустя несколько лет Беккерель обнаружил что электропроводность “плохих” проводников, которых изучал Фарадей, увеличивается при их освещении, в них появляется ЭДС. В 1906 Браун обнаружил явление выпрямления переменного электрического тока на контакте свинца и феррита (FeS2). Эти плохие проводники, имеющие к тому времени загадочные свойства назвали полупроводниками. В 1879 г. Холл открыл явление электрического поля в проводнике с током помещенным в поперечное магнитное поле (эффект Холла).

Исследование полупроводников активизировались в начале 20 века после создания квантовой механики. Квантовая механика позволила создать зонную теорию твердых тел. Квантовая теория объясняет поведение электронов в твердых телах. Согласно этой теории электроны в кристаллах не могут иметь любую энергию. Разрешенные значения энергии образуют определенные интервалы, которые получили названия разрешенных зон. Разрешенные зоны отделены промежутками запрещенных значений энергии.

Физики полупроводниковЗонная теория твердых тел указала строгий критерий их разделения на металлы, диэлектрики и полупроводники. Если самая верхняя зона, содержащая электроны при Т = 00 K заполнена не полностью, а частично то такое твердое тело обладает высокими проводящими свойствами. Если самая верхняя зон содержащая электроны при Т = 00 K полностью заполнена, а следующая за ней зона полностью пуста и разделена небольшим промежутком запрещенных энергий ΔЕg, то такое твердое тело относят к полупроводникам, а если ΔЕg велико, то это диэлектрик. (ΔЕg ≥ 2 эВ). Сама верхняя зона называется валентной (V — зона), а следующая за ней пустая зона называется зоной проводимости (С — зона).

При возбуждении полупроводника электроны из V — зоны могут переходить в С — зону и в ней они будут участвовать в переносе электрического тока. В этом случае в V — зоне остается свободное место (дырки). Эта вакансия будет также участвовать в переносе электрического тока, она будет положительной. Выяснилось, что можно создать полупроводники, у которых носителями заряда будут являться только электроны, такие полупроводники называются электронного типа или n — типа. Также можно создать полупроводники, у которых основными носителями будут являться дырки p — тип.

Зонная теория твердых тел позволила раскрыть к концу 30-х годов 20 века природу явлений на контакте полупроводника n и p типа, т.е. физическую теорию выпрямления. В связи с этим были созданы p-n переходы — важнейшие приборы твердотельной электроники. В 1948 г. были созданы транзисторы n-p-n и p-n-p переходов. Сегодня полупроводники определяют прогресс в целом ряде отраслей народного хозяйства развитых стран.

Микроэлектроника. Современный этап развития твердотельной электроники.

Началом широкого производства полупроводниковых приборов можно считать середину 50-х годов. На этом этапе создавались новые виды дискретных p-n переходов и транзисторов. Однако к концу 50-х годов наряду с дискретной твердо тельной электроникой начала развиваться интегральная электроника. Это стало возможным благодаря разработке планарной технологии, она представляет собой высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основой планарной технологии является нанесение тонкой диэлектрической пленки на поверхность полупроводникового кристалла или полупроводниковой пленки. Затем производится удаление этой пленки с отдельных участков полупроводника методом фотолитографии. Рисунок, отражающий схему расположения элементов на кристалле проецируется на него световым или электронными лучами. После этого через незащищенные диэлектрической пленкой участки полупроводника вводится специальная примесь (лигатура) переводит в n или p тип. В результате этих операций образуется области с p-n переходами.

На протяжении достаточно длительного времени наблюдается тенденция экспоненциального увеличения степени интеграции твердотельных микросхем. Возможны 3 пути ее роста: 1) Связан с уменьшением топологического размера и соответственно повышением плотности упаковки и элементов на кристалле. 2) Увеличение площади кристалла. Однако получение бездефектных кристаллов большой площади сложная технологическая задача. Наличие дефектов в кристалле снижает процент выхода интегральных схем. 3) Оптимизация компоновки элементов на кристалле. Расчеты показывают, что на монолитном кристалле кремния может быть достигнута степень интеграции 107 элементов на кристалле.

Использование в технологии полупроводниковых приборов лучевых методов, ионно-лучевых, рентгеновских позволяет получать приборы до 10-25 нм (нано электроника).


Вы здесь: Главная Физика Физика полупроводников Физика полупроводников. Лекция 1