Физика полупроводников. Лекция 2

§15. Зонная структура полупроводника в clip_image160[34] пространстве.

Как известно энергия электронов во всех разрешенных зонах полупроводника есть функция волнового вектора clip_image160[35] из первой зоны Бриллюэна. Зависимость clip_image494[2] называется законом дисперсии. По существу эта зависимость от длины волны clip_image845. Дисперсионные кривые валентной зоны и зоны проводимости являются важнейшими характеристиками полупроводника. При этом важно знать зависимость clip_image494[3] не во всей зоне Бриллюэна, а только в небольшой ее части, вблизи абсолютных экстремумов зоны проводимости и валентной зоны, т.е. вблизи дна зоны проводимости и потолка валентной зоны.

clip_image846clip_image847В любой зоне характер зависимости clip_image494[4] вблизи точки экстремума определяется формой изоэнергетической поверхности. Эта такая поверхность, которая проведена через концы волновых векторов clip_image160[36] зоны Бриллюэна, которым соответствует заданная энергия clip_image849. В любой зоне clip_image494[5] является четной функцией волнового вектора clip_image524[1], значит, любые изоэнергетические поверхности имеют центр симметрии. Аналитическую форму изоэнергетической поверхности можно получить следующим образом. Пусть экстремум невырожденной зоны лежит в точке clip_image852 зоны Бриллюэна. Разложим clip_image494[6] в ряд Тейлора вблизи окрестности точки clip_image852[1], приведя разложение к главным осям X, Y, Z. При этом

clip_image854

clip_image856.

Ограничимся первыми тремя членами, тогда

clip_image858 (1)

clip_image860

clip_image862 (2)

clip_image849[1] — уравнение изоэнергетической поверхности. Тогда из (2) получаем уравнение изоэнергетической поверхности:

clip_image864 (3)

(3) — уравнения эллипсоида с центром в точке clip_image852[2].

Компоненты clip_image866 могут быть связанны условием симметричности изоэнергетической поверхности. Для примера рассмотрим кубические кристаллы типа A2B6, A3B5, кристаллы типа алмаза. Абсолютный минимум кристалла типа сфалерита лежит в точке clip_image868, т.е. в центре зоны Бриллюэна, тогда (3) равно:

clip_image870 (4)

clip_image871С вектором clip_image868[1] связаны три оси четвертого порядка зоны Бриллюэна (усеченный октаэдр). С осями симметрии четвертого порядка clip_image873 связаны повороты на 900, 1800, 2700, 3800. При этих поворотах вектор clip_image868[2] остается неизменным. Повороты вокруг этих осей совмещают кристаллическую решетку саму с собой, следовательно, и физические свойства, а также уравнения описывающие эти свойства остаются инвариантными относительно этих преобразований, т.е. уравнения описывающие изоэнергетические поверхности должны оставаться неизменными при этих преобразованиях.

Для примера совершим поворот вокруг оси clip_image875 на 900: clip_image877, (4) примет вид:

clip_image879 (5)

Но (4) и (5) одинаковы, тогда clip_image881. Совершим поворот вокруг оси clip_image883 на 900: clip_image885, следовательно, все компоненты равны: clip_image887, тогда соотношение (5) примет вид:

clip_image889 (6)

Значит эффективная масса изотропная величина. Тогда закон дисперсии:

clip_image891 (7)

clip_image892Закон дисперсии параболический. На сфере будут лежать волновые вектора с одинаковыми значениями модуля эффективной массы. В этом случае характеризуется четырьмя компонентами, т.е. она изотропна (эффективная масса такого экстремума сферическая).

clip_image893Кристаллы с кубической решеткой типа алмаза: германий и кремний не прямозонные полупроводники. У них минимум зоны проводимости и максимум валентной зоны находятся в разных точках зоны Бриллюэна. Зона Бриллюэна у них тоже усеченный октаэдр. Например, у кристаллов кремния максимум валентной зоны находится в центре зоны Бриллюэна, а минимум зоны проводимости на оси clip_image895, которая совпадает с осью симметрии четвертого порядка (смотри рисунок). Минимум зоны проводимости лежит на линии clip_image895[1], на расстоянии clip_image898 от начала координат, т.е. модуль вектора clip_image900. Вектор clip_image902 связан только с одной осью симметрии четвертого порядка, например на рисунке вектор clip_image902[1] связан только с осью симметрии clip_image883[1]. Произведем поворот вокруг оси clip_image883[2] и получим, что clip_image905, clip_image907.

В этом случае мы не имеем право вращать вокруг оси clip_image875[1] и clip_image909 как в предыдущем случае, потому что вектор clip_image902[2] принадлежит только одной оси, тогда уравнение (5) приобретает вид:

clip_image911 (8)

clip_image912Видно, что изоэнергетическая поверхность является эллипсоидом вращения с осью clip_image875[2]. clip_image914 — поперечная компонента эффективной массы электронов, clip_image916 — продольная компонента эффективной массы электронов. Значит, у кристаллов кремния абсолютный экстремум зоны проводимости характеризуется двумя компонентами эффективной массы: clip_image918

Вы здесь: Главная Физика Физика полупроводников Физика полупроводников. Лекция 2