Физика полупроводников. Лекция 5
- Физика полупроводников. Лекция 5
- §2. Межзонная рекомбинация неравновесных носителей заряда.
- §3. Рекомбинация неравновесных носителей заряда на примесных центрах полупроводников.
- §4. Определение времени жизни носителей заряда в полупроводниках.
- §5. Поверхностная рекомбинация в полупроводниках.
- §6. Уравнение непрерывности для полупроводников.
- §7. Диффузионная длина неосновных носителей заряда в полупроводниках.
§6. Уравнение непрерывности для полупроводников.
Пусть в полупроводнике имеются неравновесные носители заряда, создаваемые под действием внешнего фактора. В результате процессов накопления и рассасывания концентрация неосновных носителей заряда в общем случае будет являться функцией координат и времени:
Поведение избыточных носителей заряда, концентрация которых зависит от координат и времени описывается с помощью уравнения непрерывности.
Представим себе одномерный полупроводник — типа. Пусть вдоль оси x в нем создан положительный градиент концентрации электронов.
Пусть приложено внешнее электрическое поле. Положительный градиент концентрации можно создать с помощью омического контакта B. Выделим в полупроводнике слой толщиной dx, — плотность тока электронов входящих в слой, — плотность тока выходящих из слоя. Будем рассматривать полупроводник с площадью S = 1 см2. Число электронов в слое в момент времени t будет равно , . Тогда изменение числа электронов за время dt будет равно:
Изменение числа электронов в слое dx может произойти за счет следующих процессов:
1. За счет генерации электронов в слое. При этом надо учитывать как тепловую генерацию, так и генерацию избыточных носителей заряда, за счет этих двух процессов , обеспечивает равновесную концентрацию , — скорость генерации избыточных электронов (неравновесных).
2. Изменение числа электронов за время dt в слое dx может быть связано с процессом рекомбинации электронов. Очевидно, за время dt в слое объемом dx будет рекомбинировано электронов:
3. Кроме того, из-за процесса диффузии электронов поток электронов входящих в слой dx может быть неравен потоку выходящего из слоя. Поток — это число электронов пересекающих в единицу времени единичную площадку. — поток входящий в слой, а — поток выходящий из слоя, следовательно за время dt изменение числа электронов в слое dx, за счет разности этих потоков будет равно:
Приравняем (1) с изменением числа электронов за счет перечисленных трех процессов.
Уравнение непрерывности для одномерного случая:
— суммарная от внешнего поля и плюс поле объемного заряда, — коэффициент диффузии электронов.
Подставим (6) в (4)
Если концентрация электронов является функцией координат и если все три компоненты электрического поля отличны от нуля, то уравнение непрерывности примет вид:
так как плотность дырочного тока равна
то уравнение непрерывности для дырок будет иметь вид:
В стационарных условиях уравнение непрерывности принимает вид:
(11), (12) — закон сохранения частиц. Согласно (11) поток электронов вытекающий из данного объема за единицу времени равен числу избыточных электронов генерируемых внешним фактором, за вычетом рекомбинируемых электронов.