Лекции для студентов

Физика полупроводников. Лекция 5

§7. Диффузионная длина неосновных носителей заряда в полупроводниках.

Представим себе полупроводник  — типа, для которого дырки являются не основными носителями заряда. Предположим, что избыточные (неосновные) носители вводятся в полупроводник из контакта A (x = 0), положим что концентрация . При x > 0 внешний фактор отсутствует, т.е. . Предположим, что внешнее электрическое поле отсутствует, а поле созданное небольшим количеством избыточных неосновных носителей заряда будет малым, тогда в уравнении (12) можно положить, что E = 0, таким образом, в условиях постановленной задачи уравнение (12) принимает вид:

(13)

Решим это уравнение при начальных условиях , , тогда решением уравнения будет являться функция

(14)

, (15)

 — расстояние на котором концентрация неосновных, неравновесных носителей заряда уменьшается в e раз, получила название диффузионной длины дырок. Если неосновные носители заряда будут электроны, то

(16)