Физика полупроводников. Лекция 4

§9. Туннельный эффект в полупроводниках (электростатическая ионизация Зинера).

Может наблюдаться в электрических полях clip_image403. Если энергия электрона clip_image405 то классический электрон не может попасть внутрь такого барьера, так как в этом случае кинетическая энергия равна:

clip_image407

clip_image408импульс — мнимый. Но с квантовой точки зрения электрон с такими энергетическими параметрами может просочиться сквозь потенциальный барьер, проходя его без изменения своей энергии (туннельный эффект). Туннельный эффект может быть объяснен соотношением неопределенности:

clip_image410

Фиксация электрона внутри барьера clip_image412 приводит к неопределенности импульса электрона и его кинетической энергии:

clip_image414, clip_image416

Очевидно, туннельное просачивание возможно, если неопределенность кинетической энергии равна:

clip_image418

Туннельный эффект характеризуется коэффициентом прозрачности барьера Д, он равен отношению числа частиц прошедших сквозь барьер к числу частиц падающих на барьер. Для барьера прямоугольной формы:

clip_image420

В сильных электрических полях (крутой наклон зон) возможны туннельные переходы электронов с донорных центров в зону проводимости или из валентной зоны в зону проводимости. Рассмотрим туннельный эффект электронов из валентной зоны в зону проводимости. Такой электрон туннелирует сквозь потенциальный барьер треугольной формы.

Будем рассматривать туннелирование валентного электрона, имеющего энергию clip_image422. Он туннелирует из точки O в точку L. Потенциальный барьер OAL имеет треугольную форму, Высота его U. Аппроксимируем этот треугольный барьер суммой узких прямоугольных барьеров. Например, для i барьера, ширина которого dx, коэффициент прозрачности будет:

clip_image424

Высота i барьера clip_image426. clip_image428, clip_image430 ширина треугольного барьера. Очевидно, коэффициент треугольного барьера равен:

clip_image432

clip_image434 (1)

clip_image435Из (1) следует, что вероятность туннельного просачивания электронов из валентной зоны в зону проводимости экспоненциально возрастает с напряженностью электрического поля и тем быстрее, чем меньше clip_image437 и clip_image439. Расчеты показывают, что при clip_image441 и clip_image443 межзонное туннелирование начинается при clip_image445. При меньших электрических полях возможно туннелирование электронов с донорных уровней через треугольный барьер. В этом случае коэффициент прозрачности будет равен:

clip_image447

С квантовой точки зрения туннелирование возможно при условии, когда длина электронной волны соизмерима с шириной потенциального барьера. А ширину потенциального барьера можно варьировать величиной электрического поля (чем больше поле, тем меньше ширина потенциального барьера: clip_image449).

Вы здесь: Главная Физика Физика полупроводников Физика полупроводников. Лекция 4